ISCH99N04NM7VATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISCH99N04NM7VATMA1 por Infineon e IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISCH99N04NM7VATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $1,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TTFN-9-3
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Faixa de temperatura de operação — -55 degrees C to +175 degrees C
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

Fichas técnicas e recursos

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