ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC015N03LF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ028N03LF2SATMA1 por Infineon y ISC015N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ028N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,96
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-62 (TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction, typical) -55C to +175C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench)
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 43 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 214 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.35 V
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 125 W
Lead-Free — Yes

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