ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC015N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ028N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC015N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ028N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,96
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-62 (TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction, typical) -55C to +175C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench)
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 43 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 214 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.35 V
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 125 W
Lead-Free — Yes

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