K3K8K80BM-MGCP vs K3KL8L80CM-MGCT Comparación
Comparación detallada lado a lado de K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics y K3KL8L80CM-MGCT por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K3K8K80BM-MGCP | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 64 Gb | 32 Gbit (4 GB) |
| Organización de memoria | 2G x 32 | x32 |
| Velocidad de datos | 6400 Mbps | — |
| Interfaz | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Encapsulado | FBGA-315 (PBGA315) | 315-ball FBGA |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Application Segment | — | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |