K3K8K80BM-MGCP vs K3KL8L80CM-MGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3K8K80BM-MGCP 제조: Samsung Electronics 및 K3KL8L80CM-MGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3K8K80BM-MGCP | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 64 Gb | 32 Gbit (4 GB) |
| 메모리 구성 | 2G x 32 | x32 |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps | — |
| 인터페이스 | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| 패키지 | FBGA-315 (PBGA315) | 315-ball FBGA |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| 동작 온도 | -25C to +85C | -25C to +85C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Application Segment | — | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |