K3K8K80BM-MGCP vs K3KL8L80CM-MGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3K8K80BM-MGCP par Samsung Electronics et K3KL8L80CM-MGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3K8K80BM-MGCP | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 64 Gb | 32 Gbit (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | 2G x 32 | x32 |
| Débit de données | 6400 Mbps | — |
| Interface | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Boîtier | FBGA-315 (PBGA315) | 315-ball FBGA |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Application Segment | — | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |