K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G045WD-BCPB Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G045WD-BCPB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G045WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,58 | $2,20 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 1G x 4 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Velocidad de datos | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball TFBGA (FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Interfaz | Parallel | DDR4 parallel, double data rate |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Class | — | DDR4-2133 (PC2133) |
| Die Generation | — | D-die |
| Terminal Form | — | Ball (BGA) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Burst Length | — | 8 (per Samsung DDR4 SDRAM datasheet Rev. 1.1) |
| Speed Bin Notation | — | CL-tRCD-tRP order (per Samsung ordering information) |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G045WD / K4A4G085WD family) |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval 1x/2x/4x support] |