K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G045WD-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G045WD-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G045WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,58 | $2,20 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 1G x 4 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Débit de données | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball TFBGA (FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Interface | Parallel | DDR4 parallel, double data rate |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Class | — | DDR4-2133 (PC2133) |
| Die Generation | — | D-die |
| Terminal Form | — | Ball (BGA) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Burst Length | — | 8 (per Samsung DDR4 SDRAM datasheet Rev. 1.1) |
| Speed Bin Notation | — | CL-tRCD-tRP order (per Samsung ordering information) |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G045WD / K4A4G085WD family) |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval 1x/2x/4x support] |