K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G045WD-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WD-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G045WD-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G045WD-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.58 | $2.20 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 1G x 4 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| 데이터 속도 | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 패키지 | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball TFBGA (FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| 인터페이스 | Parallel | DDR4 parallel, double data rate |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Class | — | DDR4-2133 (PC2133) |
| Die Generation | — | D-die |
| Terminal Form | — | Ball (BGA) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Burst Length | — | 8 (per Samsung DDR4 SDRAM datasheet Rev. 1.1) |
| Speed Bin Notation | — | CL-tRCD-tRP order (per Samsung ordering information) |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G045WD / K4A4G085WD family) |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval 1x/2x/4x support] |