K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G085WE-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,58 | $1,36 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Velocidad de datos | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |