K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WD-BCRC от Samsung Electronics и K4A4G085WE-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,58 | $1,36 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Скорость передачи данных | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Корпус | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |