K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G085WE-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,58 | $1,36 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Débit de données | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |