K4A4G085WD-BCTD vs K4A4G085WD-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCTD por Samsung Electronics y K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCTD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,05 | $3,58 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC-compatible) | Parallel |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |