K4A4G085WD-BCTD vs K4A4G085WD-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WD-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WD-BCTD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.05 | $3.58 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| データレート | 2666 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| 動作温度 | 0C to +85C | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | DDR4 (JEDEC-compatible) | Parallel |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |