K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G165WF-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WF-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,10 | $10,65 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Tipo de interfaz | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 19 ns |
| Interfaz | — | Parallel |
| Die Generation | — | Samsung F-die |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT supported |
| CRC | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |