K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCWE 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WD-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WF-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 활성
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCWE
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.10 $10.65
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
공급 전압 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
패키지 FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
인터페이스 유형 DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes Supported
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS 상태 Lead free / RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Memory Density — 4 Gbit
데이터 속도 — 3200 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
인터페이스 — Parallel
Die Generation — Samsung F-die
Data Mask — Supported (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
CRC — Supported
Asynchronous Reset — Supported

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