K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCWE 对比

详细并排对比 K4A4G165WD-BCRC 出自 Samsung Electronics 和 K4A4G165WF-BCWE 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 量产中
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K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCWE
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.10 $10.65
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
存储组织 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
电源电压 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
封装 FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
接口类型 DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes Supported
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
工作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS 状态 Lead free / RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Memory Density — 4 Gbit
数据速率 — 3200 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
接口 — Parallel
Die Generation — Samsung F-die
Data Mask — Supported (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
CRC — Supported
Asynchronous Reset — Supported

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