K4A4G165WD-BCTD vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WD-BCTD por Samsung Electronics y H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ Activo
SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G165WD-BCTD H5AN4G6NBJR-VKC
Marca Samsung Electronics SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $19,00 $12,96
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organización de memoria 256M x 16 —
Velocidad de datos 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Core Supply (VPP) 2.5 V —
Interfaz SSTL-12 Parallel
Data Mask Yes (DM per byte lane) —
Bank Architecture 16 banks / 4 bank groups —
Encapsulado 96-ball FBGA FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C (commercial) -40C to +95C
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes (external RZQ resistor) —
CRC / CA Parity CRC read/write support —
Reset Asynchronous reset (RESET_n) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Tamaño de memoria — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Packaging — Tray

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