K4A4G165WD-BCTD vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WD-BCTD por Samsung Electronics e H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G165WD-BCTD | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $19,00 | $12,96 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Interface | SSTL-12 | Parallel |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C (commercial) | -40C to +95C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Technology | — | CMOS |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Packaging | — | Tray |