K4A4G165WG-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics y K4A4G165WE-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WE-BCTD
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $16,90 $11,38
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Tamaño de memoria 4 Gbit 4 Gbit
Memory Organization 256M x 16 256M x 16
Interfaz Parallel Parallel, x16
Velocidad de datos 3200 Mbps —
Access Time 19 ns —
Tensión de alimentación 1.2 V —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C 0C to +85C
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active Active
Estado RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant (per JLCPCB listing)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Die Generation — E-die
Terminal Count — 96
Speed Grade — [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix]
Datasheet Revision — K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016
Burst Length — BL8 (JEDEC DDR4)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4)

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