K4A4G165WG-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WE-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WG-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.90 | $11.38 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, x16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| 패키지 | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | Active |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |