K4A4G165WG-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WG-BCWE von Samsung Electronics und K4A4G165WE-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G165WG-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $16,90 | $11,38 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Speichergröße | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel, x16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Gehäuse | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | Active |
| RoHS-Status | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |