K4A4G165WG-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics et K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WG-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $16,90 | $11,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | Parallel, x16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | Active |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |