K4A4G165WG-BCWE vs MT41K64M16TW-107 AUT:J Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics y MT41K64M16TW-107 AUT:J por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ ActivoMicron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G165WG-BCWE | MT41K64M16TW-107 AUT:J |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $16,90 | $2,85 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | SDRAM - DDR3L |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | 1 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 1866 MT/s (DDR3L-1866) |
| Access Time | 19 ns | 20 ns |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| Estado RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 933 MHz |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Organización de memoria | — | 64M x 16 |
| Temperature Grade | — | AUT (automotive) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Packaging | — | Tray (T/R per listing) |