K4A4G165WG-BCWE vs MT41K64M16TW-107 AUT:J Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WG-BCWE von Samsung Electronics und MT41K64M16TW-107 AUT:J von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ AktivMicron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G165WG-BCWE | MT41K64M16TW-107 AUT:J |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $16,90 | $2,85 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit | 1 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Datenrate | 3200 Mbps | 1866 MT/s (DDR3L-1866) |
| Access Time | 19 ns | 20 ns |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS-Status | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 933 MHz |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Speicherorganisation | — | 64M x 16 |
| Temperature Grade | — | AUT (automotive) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Packaging | — | Tray (T/R per listing) |