K4A4G165WG-BCWE vs MT41K64M16TW-107 AUT:J Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics et MT41K64M16TW-107 AUT:J par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ ActifMicron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WG-BCWE | MT41K64M16TW-107 AUT:J |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $16,90 | $2,85 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | SDRAM - DDR3L |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 1 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Débit de données | 3200 Mbps | 1866 MT/s (DDR3L-1866) |
| Access Time | 19 ns | 20 ns |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 933 MHz |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Organisation de la mémoire | — | 64M x 16 |
| Temperature Grade | — | AUT (automotive) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Packaging | — | Tray (T/R per listing) |