K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G045WB-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G045WB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,95 $9,27
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Interfaz CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Temperatura de funcionamiento 0 C to 85 C 0 C to +85 C
Encapsulado 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Velocidad de datos — 2133 Mbps
Tensión de alimentación — 1.2 V
Max Supply Current — 211.7 mA
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización