K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G045WB-BCRC por Samsung Electronics e K4A8G045WB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,95 $9,27
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Interface CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Temperatura de operação 0 C to 85 C 0 C to +85 C
Encapsulamento 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Taxa de dados — 2133 Mbps
Tensão de alimentação — 1.2 V
Max Supply Current — 211.7 mA
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes

Fichas técnicas e recursos

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