K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G045WB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $9,27
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Интерфейс CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Рабочая температура 0 C to 85 C 0 C to +85 C
Корпус 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Скорость передачи данных — 2133 Mbps
Напряжение питания — 1.2 V
Max Supply Current — 211.7 mA
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену