K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BICH Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BCPB por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $13,78 | $4,96 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (nominal) | 1.2V |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Speed Grade | BC | — |
| CAS Latency (CL) | 22 | — |
| Burst Length | 8 | BL8, BL16 |
| Bank Architecture | 16 banks (4 bank groups) | — |
| Refresh Interval | 7.8 us (up to 85C) | — |
| Tipo de interfaz | SSTL-12 | — |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Self-Refresh | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 11 mm x 11 mm | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Latencia CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |