K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BICH Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BCPB par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BICH par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BICH
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $13,78 $4,96
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8Gb
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8
Tension d'alimentation 1.2 V (nominal) 1.2V
Débit de données 3200 Mbps (PC4-25600) 2400 Mbps (DDR4-2400)
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 BL8, BL16
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Type d'interface SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
Boîtier 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Type de montage Surface Mount (BGA) —
Operating Mode DLL enabled —
Statut RoHS Compliant —
Température de fonctionnement — 0°C to 85°C
Max Supply Current — 170mA
Latence CAS — Programmable
On-Die ECC — Yes
Data Bus Inversion — Yes
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Die Revision — B-die

Fiches techniques et ressources

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