K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BICH 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BICH メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 生産中
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K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BICH
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $13.78 $4.96
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
電源電圧 1.2 V (nominal) 1.2V
データレート 3200 Mbps (PC4-25600) 2400 Mbps (DDR4-2400)
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 BL8, BL16
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
インターフェースタイプ SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
実装タイプ Surface Mount (BGA) —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS ステータス Compliant —
動作温度 — 0°C to 85°C
Max Supply Current — 170mA
CASレイテンシ — Programmable
On-Die ECC — Yes
Data Bus Inversion — Yes
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Die Revision — B-die

データシート&リソース

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