K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BCPB por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $13,78 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (nominal) | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps |
| Speed Grade | BC | — |
| CAS Latency (CL) | 22 | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Architecture | 16 banks (4 bank groups) | — |
| Refresh Interval | 7.8 us (up to 85C) | — |
| Tipo de interfaz | SSTL-12 | — |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Self-Refresh | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Package Dimensions | 11 mm x 11 mm | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |