K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $13,78 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 1G x 8 | — |
| Напряжение питания | 1.2 V (nominal) | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps |
| Speed Grade | BC | — |
| CAS Latency (CL) | 22 | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Architecture | 16 banks (4 bank groups) | — |
| Refresh Interval | 7.8 us (up to 85C) | — |
| Тип интерфейса | SSTL-12 | — |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Self-Refresh | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Package Dimensions | 11 mm x 11 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Рабочая температура | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |