K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICH Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,80 | $4,96 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL16 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Latencia CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |