K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICH Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,80 | $4,96 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2V |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL16 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Latência CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |