K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICH 对比
详细并排对比 K4A8G085WB-BCRC 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WB-BICH 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $6.80 | $4.96 |
| 存储器类型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 存储组织 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 数据速率 | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| 电源电压 | 1.2 V | 1.2V |
| 工作温度 | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| 封装 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL16 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| CAS 延迟 | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |