K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIRC Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BIRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps

K4A8G165WB-BIRC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BIRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $12,57 $39,50
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gb (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
Velocidad de datos 2400 Mbps (PC4-19200) 2400 Mbps
Tensión de alimentación 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Technology CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die —
Encapsulado 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Ball Pitch 0.8 mm —
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento -40C to +95C —
Interfaz DDR4 (Double Data Rate, synchronous) 16-bit
On-Die Termination Yes (ODT with dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes —
CRC / CA Parity Yes (CRC function) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Estado RoHS Compliant —
Density — 8 Gbit
Organización de memoria — 512M x 16
Rango de temperatura de funcionamiento — -40°C to +95°C
DLL Enabled Mode — Yes
On-Die Termination (ODT) — Yes
Burst Length — 8, 16
Row Address — 16 bits
Column Address — 10 bits
Bank Count — 16 banks
RoHS Compliant — Yes

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