K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics y K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $37,00 | $23,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2400 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C (case) |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Interfaz | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |