K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ 生産中
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K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WC-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $37.00 $23.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Total Density 8 Gb —
データレート 2666 Mbps/pin (PC4-2666) 2400 Mbps
電源電圧 1.2 V —
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
動作温度 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C (case)
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CL value] Programmable (e.g., 16, 17, 18)
tRCD [DATA_NEEDED: tRCD value] —
tRP [DATA_NEEDED: tRP value] —
Refresh Auto-refresh, self-refresh Temperature-compensated self-refresh (TCSR)
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant Compliant
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
VPP Voltage — 2.5 V
インターフェース — 16-bit I/O
Banks — 16 (4 bank groups)
Burst Length — 8 (BL8)
実装タイプ — Surface Mount

データシート&リソース

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