K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCPB Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCPB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActivoSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,55 | $2,30 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | — |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| Burst Length | 8 | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| Latencia CAS | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |