K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G165WB-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.55 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | — |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| Burst Length | 8 | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |