K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics y H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $23,00 | $55,68 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (max 1.26 V) |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Interfaz | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |