K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics et H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $23,00 | $55,68 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (max 1.26 V) |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Interface | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |