K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $23.00 | $55.68 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (max 1.26 V) |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (case) | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| インターフェース | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |