K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WB-BCPB Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCTD por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCPB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ Activo
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K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WB-BCPB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $41,20 $2,30
Tipo de memoria DDR4 SDRAM —
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Velocidad de datos 2666 Mbps (DDR4-2666) —
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C 0°C to 85°C
Encapsulado 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA (TFBGA-96)
Tipo de montaje Surface Mount —
Die Revision C-die —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes (240 ohm resistor to GND) —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Speed Grade — 2133 Mbps (PC4-17000)
Burst Length — 8 (BL8)
Burst Type — Sequential and Interleave
Latencia CAS — Programmable (e.g., 15, 16, 18)
Refresh — Auto and Self Refresh
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Position — BOTTOM

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