K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WB-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCTD par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $41,20 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | — |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| Boîtier | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |