K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG165WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $62,40 | $54,65 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Tipo de interfaz | Parallel, DDR4 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 (1G x 16) |
| Interfaz | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |