K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WA-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG165WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $62,40 | $54,65 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Type d'interface | Parallel, DDR4 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 (1G x 16) |
| Interface | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |