K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics e K4AAG165WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $62,40 | $54,65 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de operação | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Tipo de interface | Parallel, DDR4 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organização da memória | — | 256M x 16 (1G x 16) |
| Interface | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |